缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了阴极发光(CL)信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

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构成计量

材料组合物的变化直接影响阴极发光发射波长和强度。因此,CL是一种在纳米尺度上绘制成分波动的非常方便的方式。

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掺杂计量

半导体中的不同掺杂剂和掺杂浓度改变了阴极发光排放。这使得CL成为在诸如硅,氮化镓化合物等各种材料上掺杂计量的强大方法。

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故障分析

失效或老化器件的阴极发光图通常显示光谱和强度的变化,与参考器件相比。这使得CL成为定位和识别故障或老化机制的非常有用的方法。

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纳米结构表征

阴极发光法是一种激发光谱学方法,可以获取远低于衍射极限的光学信息。这使得它成为评价纳米结构光学性质和纳米光子学实验的理想方法。

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载体动态(Pic秒时间已解决CL)和动态SEM

PICOSECOND时间分辨的阴极发光(PSTRCL)允许使用PICOSECOND TIME和纳米空间分辨率测量载波动态。可以直接测量能量转移过程和辐射和非辐射生命的变化。
此外,Attolight的PStrc1系统是一种动态SEM,允许同时进行先进的泵和探头实验。

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生物成像

荧光成像是在生物成像中成熟的方法。染料或蛋白质用作分子过程或结构的标记。正在开发电子束稳定标签,其也表现出明确定义的阴极发光排放线。
这使得可以在纳米分辨率下进行分子过程的识别和成像。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。

缺陷检测和表征

缺陷局部改变晶体结构。这种变化影响了CL信号的波长和强度。这使得CL是一种用于非破坏性高分辨率缺陷检测和表征的吸引力方法。