Chronos-GaN-HEMT-2缺陷检测 - 纳米结构 - 表征 - 组合物 - 掺杂 - 计量 - 材料表征 - 验证 - 阴极致发光

Gan Hebt.

步骤和重复模式，横截面

  • 每个合金具有不同的光谱签名：带边发射
  • C赔偿GaN容易区分
  • GaN中的生长缺陷：C导致GaN：UID穿过缺陷
  • 线程位错签名可见
  • 像素大小40nm，采集时间160s

计数甘蓝缺陷检测 - 纳米结构表征 - 组合物 - 掺杂 - 计量 - 材料表征 - 验证 - 阴离子调发

通过验证

Allalin-Säntis-GaN-蓝宝石 - 晶片 - 阴极辐发光 - 缺陷检测 - 材料表征 - LED - 功率 - 射频器件

难题计数甘甘型脱位

线程位错密度

在蓝宝石晶圆上甘

步骤和重复模式

  • 高分辨率阴极发光：个体结构，脱臼
  • 典型时间/图像：2s，单色图
  • <10分钟每150mm晶圆在50张图片/晶片

自动图像分析

  • 穿线位错密度 - 3.1e8 cm-2
  • 用例：MOCVD沉积控制

Allalin-Säntis-GaN-蓝宝石 - 晶片 - 阴极辐发光 - 缺陷检测 - 材料表征 - LED - 功率 - 射频器件

由svonroth.

Säntis-siC衬底 - 质量控制 - 透析 - 全晶圆纳米缺陷检查

SIC基板质量控制

缺陷检验与分类

Attolight Cl的主要优点

  • 高分辨率阴极发光：缺陷
  • 典型时间/图像：3分钟，高光谱图
  • 40分钟/ 150mm晶片10张图片/晶片

检测到的缺陷

  • 绿色乐队：4H-SIC中的3C-SIC夹杂物
  • 蓝乐队：点缺陷
  • 红色乐队：基础平面位错板（暗区）
  • 黑线：堆叠故障
  • 黑点：脱位
  • 自动缺陷分类分类缺陷

Säntis-siC衬底 - 质量控制 - 透析 - 全晶圆纳米缺陷检查
Säntis-sic-Attolight-全晶圆纳米缺陷检查

由svonroth.